V-TECHNOLOGY社製品 ラインナップ
1997年設立、フラットパネル向け測定装置で多数の実績。

フォトマスク検査装置
フォトマスク検査装置 Gemini
AM-OLED用高精度大型フォトマスク・ハーフトーンマスク対応の最新モデル

特長
・高速、高分解能、Die to Database、Die to Die検査
・繰り返しパターンを必要としないコンタクトホール専用アルゴリズム
・強化された単純差分比較アルゴリズム
・検出欠陥の透過/反射イメージキャプチャーによる検査中レビュー機能
・透過検査、反射検査の同時検査機能

フォトマスク検査装置
精密座標測定装置 Mercury
FPD用フォトマスクの線幅、開口径、Total pitchや座標位置などの寸法を自動測定

特長
・高位置決め精度、高平坦度を誇るエアスライダと測定テーブル
・ナノメーターでテーブル位置を制御するレーザ干渉計とリニアエンコーダー
・環境変化を最小化するサーマルチャンバー、など
対応サイズ
≤ G10 (カスタマイズ可)
これら最先端のオプトメカトロニクスを駆使し、世界最高水準の測定精度を実現。
また、独自の測定ソフトと基準マスクで精度校正、誤差要因を完全に補正し、理想的な格子座標系を構築、優れた測定精度と再現性を保証。

フォトマスク検査装置
微小寸法測定装置 Venus
FPD用フォトマスクのCD(パターン寸法)を正確に測定

特長
・長期安定性と防振性に優れた高精度XYステージとリニアスケールによる正確なフィードバックシステムにより、良好な再現性を実現。
・高解像度モノクロCCDカメラ(200万画素、1/1.8インチ)と高性能マイクロスコープにより鮮明な画像の取得が可能。
・自動計測により、マスクのたわみや反りによる影響を受けず、オペレータによるばらつきのない、安定した測定結果を取得可能。
対応サイズ
≤ G10 (カスタマイズ可)

フォトマスク検査装置
欠陥検査装置 Dione-CIS
特長
・高速、高分解能、Die to Database、Die to Die検査
・高密度データ対応、RIG systemを搭載
・透過光検査に加え、反射光検査を同時に検査可能
・検査中に検出欠陥の確認が可能:オフラインレビュー機能(検査中に透過光イメージ、反射光イメージをキャプチャー)
・SMIF Pod対応可

フォトマスク検査装置
精密座標測定装置 PMARS-CRGS
半導体用フォトマスク上にあるパターンの位置を高精度に測定する超精密座標測定機。
特長
・高剛性の顕微鏡システムを搭載し、測定再現性を向上しています。
・さらにレーザー干渉計を搭載することで測定再現性を維持しています。
・熱源を極力排除し、熱による測定への影響を排除しています。
・専用設計の測定光学系を採用し再現精度の高い測定を行います。



フォトマスク欠陥修正装置
FIB欠陥修正装置 Draco
AM-OLED用高精度大型フォトマスク・ハーフトーンマスク対応の最新モデル

特長
・部分真空システムによる装置設置面積の縮小化を実現
・部分真空システムによるローディング時間の短縮を実現
・FIBによる高精度膜厚制御
・OPCなど、微小かつ複雑パターンの完全パターンコピーに対応
対応サイズ
≤ G10 (カスタマイズ可)


フォトマスク欠陥修正装置
FPDフォトマスク用レーザCVD欠陥修正装置 Sculptor

特長
・高精度で白黒欠陥やハーフトーン欠陥等の多彩な修正が可能
・独自開発の光学系を使用。アパーチャビームによる高速大面積の欠陥修正とスポットビームによる微小欠陥の高精度修正を実現
・スキャンニングビームによるフレキシブルなパタンコピー機能搭載
・スルーペリクル対応(ZAPのみ)
・高安定・長寿命なFemto秒レーザ、LD励起固体レーザを使用し安定した欠陥修正
対応サイズ
最大対応フォトマスクサイズ:G10 (カスタマイズ可)



フォトマスク描画装置
マスク描画装置 Pegasus1416
ブイ・テクノロジー社のレーザーマスク描画装置です。
LCD TFT、OLED 等の大型マスクをマルチヘッドのパラレル露光により、高速・高精度描画を可能にしました。

特長
・最大 1400 x 1600mm サイズのマスクを描画可能
・マルチヘッド及び高度な描画方式による高速描画
・従来比 約2倍の描画速度
・高精度描画でムラ問題を解消

※弊社営業部門までお問い合わせをお願いいたします。
描画速度
13 mm/s (2412 mm2/min., Target)
最小線幅 (L/S)
750 nm
アドレスグリッド
1 nm (CAD 設計グリッド)
CD 均一性
60 nm
CD 直線性
50 nm
レジストレーション
90 nm (Target)

フォトマスク描画装置
マスク描画装置 StarkR6
V-Technology グループのナノシステムソリューションが提供するLSI 2層目専用のマスク描画装置です。
高精度・高信頼性の本装置は、効率良く低コストでマスクの生産を可能にします。
描画速度は300mm2/分以上で、大手マスクショップを中心に10台近くが既に稼働中です。

描画性能
・最小寸法:1000nm
・最小アドレスグリッド:25nm
・ラインエッジラフネス:< 50nm, 3σ
・位置精度:< 100nm
・CD 均一性:< 70nm, 3σ
・2層目アライメント精度:< 100nm, 3σ
・描画速度:> 300²/min
システム構成
・マスクサイズ:6inch
・最大描画エリア:150mm
・光源:405nm LED
・ステージ:3 axis
・チャンバー:50 mk control
・光学系:NA0.35, FOV1.2mm dia.
・SLMサイズ:XGA DMD
・オートフォーカス:Coaxial optical real time
・描画モード:Step & Repeat, scan, render (SR+scan)
・ホスト通信:SECS/GEM(option)
・DMD 欠陥検出:〇
・欠陥修正モード:Optional
寸法
W2,360mm x D2,700mm x H2,100mm(main unit)
W1,400mm x D750mm x H2,380mm(ECU unit)
重量
2,900kg(main unit)
500kg(ECU unit)

フォトマスク描画装置
マスク描画装置 StarkSHR
V-Technology グループのナノシステムソリューションが提供するLSIマスク汎用描画装置です。
多くの描画装置製造の実績をベースに、LSIマスクを高精度で効率良く描画可能な装置として開発中です。近日中にリリース予定です。
描画速度は200mm2/min. 以上、CDUは10nm以下、位置精度は20nm以下を目標に設計しています。

描画性能
・最小寸法:500nm
・最小アドレスグリッド:1nm
・ラインエッジラフネス:< 10nm, 3σ
・位置精度:< 20nm
・CD 均一性:< 10nm, 3σ
・2層目アライメント精度:< 20nm, 3σ
・描画速度:> 200²/min
システム構成
・マスクサイズ:6inch or 9inch
・最大描画エリア:230mm
・光源:3 75nm Laser
・ステージ:6 axis correct
・チャンバー:30 mK control
・光学系:NA0.9, FOV1.0mm dia.
・SLMサイズ:W QXGA DMD
・オートフォーカス:coaxial optics
・描画モード:Step & Repeat, scan, render (SR+scan)
・ホスト通信:SECS/GEM(option)
・DMD 欠陥検出:〇
・露光量モニタ装備
寸法
W1,800mm x D3,400mm x H2,100mm
重量
3,500kg