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ハイテクノロジーで未来の一歩をサポートする

TEL. 042-523-2871

〒190-0012 東京都立川市曙町2-16-6テクノビル3F

原子層堆積装置(ALD)装置Atomic Layer Deposition (ALD)



 GEMStarシリーズ 

特徴
小型・コンパクトな卓上タイプのALD装置です。研究室での実験にまた2台目の専用ALD装置として最適です。扱いやすいユーザーフレンドリーなソフトウェアにて成膜レシピの作成も簡単に行えます。 オプションにて簡単にプラズマユニットの取り付けが可能です。
ALDの原理
ALDとMLDの原理を紹介します。
基板
4インチ、6インチと8インチ、高さ約25mmの構造物、 カーボンナノチューブ(CNT)やグラフェンにも成膜可能 (オプション:パーティクル成膜ユニット
成膜材料
Al2O3、SiO2、 HfO2、 TiO2、ZnO、TiN、 Pt、 Ruなど(成膜サービス(有償)も実施しております。詳細はお問い合わせください。)
チャンネル数
最多8種類のプレカーサ装備が可能
チャンバー温度
最高300℃(オプション450℃
オプション
オゾン発生器リモートプラズマ装置、 紛体コーティング治具(量子ドットやナノパーティクルへコーティング)、 Load Lockもございます。詳細はお問い合わせください。      
その他の装置
ベンチトップ真空アニール装置 GEMStar-A:8インチウエハーサイズ、チャンバー温度500℃まで対応の卓上型真空アニール装置です。2000sccmまでの外部ガス供給MFCコントロール機能付き。
ベンチトップ真空アニール装置 GEMStar-A カタログ(ダウンロード)       
メーカー
Arradiance, Inc. (2004年設立、デバイス開発、ALD装置の製造販売、成膜サービスを行う)      
カタログ (ダウンロード)
GEMStar XT-S/D Benchtop Thermal ALD Datasheet
GEMStar-XT-S/DP PEALD/Thermal ALD System Datasheet
GEMStar-XT-R Benchtop Thermal ALD System Datasheet
GEMStar XT Coating Service Datasheet
GEMSTAR ALD process list
ALDプロセスレポート
(ダウンロード)
Low Temperature(LT) Thermal ALD Sillcon Dixide Using Ozone Process
Low Temperature(LT) Thermal ALD Dioxide Using Ozone Process
ALD and MLD on Li Metal
Arradiance_Euris, ALD_Energy

 ユーザー事例

Harvard大学
Dr. R. Gordon (Gordon Lab、ALD材料開発の権威)
東京大学
中野研究室
東京工業大学
山田研究室
大阪府立大学
竹井先生
Stanford 大学 
Dr. Stacy Bent

バナースペース

株式会社エイチ・ティー・エル

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